Próżniowy system do nanoszenia cienkich warstw i wytwarzania nanocząstek
Stanowisko laboratoryjne składa się z dwóch próżniowych komór procesowych firmy Mantis, spełniających standardy wysokiej próżni (HV). Pierwsza komora procesowa służy do nanoszenia jednoczesnego lub sekwencyjnego wieloskładnikowych cienkich warstw oraz struktur wielowarstwowych metali i związków metali o kontrolowanym składzie chemicznym i grubości. Druga komora procesowa umożliwia wytwarzanie nanocząstek metali i tlenków metali za pomocą działa klastrowego wykorzystującego metodę rozpylania jonowego w połączeniu z techniką IGC (Inert Gas Condensation). Rozkład wielkości nanocząstek jest kontrolowany za pomocą spektrometru masowego. Możliwe jest również jednoczesne pokrywanie nanocząstek otoczką z innego metalu lub tlenku metalu.
Parametry pracy:
- wysoka próżnia wstępna 1·10-8 Torr
- ciśnienie gazu roboczego 1·10-2-1·10-4 Torr
- kontrolowana temperatura podłoża (25-800°C)
- regulowane napięcie polaryzacji podłoża (0-600 V)
- prędkość obrotu uchwytu z podłożem (0-20 rpm)
- podłoże (2 cale)
- pomiar szybkości nanoszenia warstw (czujnik kwarcowy QCM)
- regulowany, stały przepływ gazów (Ar, N2, O2)
Nanoszenie cienkich warstw:
- dwa magnetronowe źródło rozpylania DC oraz magnetronowe źródło rozpylania RF
- stabilizowany, stały prąd rozpylania (DC) oraz stabilizowana, stała moc rozpylania (RF)
Wytwarzanie nanocząstek:
- Nanogen Trio-3 magnetronowe źródła rozpylania DC
- stabilizowany prąd rozpylania (DC)
- napięcie polaryzacji w komorze agregacyjnej (0-20 V)
- strefa agregacyjna chłodzona ciekłym azotem
- kontrolowany rozmiar otrzymywanych cząstek 1-20 nm przy pomocy kwadrupolowego spektrometru masowego
Aparatura udostępniania na zasadach wynikających z Regulaminu Korzystania z Infrastruktury Badawczej ACMiN.
Otrzymywanie cienkich warstw z targetów przewodzących, półprzewodników i izolatorów, włączając procesy reaktywne
Otrzymywanie nanocząstek z targetów przewodzących
Jednostka odpowiedzialna
Grupa / laboratorium / zespół
Zakład Efektów Kwantowych w Nanostrukturach