Dwuwiązkowy wysokorozdzielczy skaningowy mikroskop elektronowy z działem jonów galu (FIB/SEM)
Dwuwiązkowy wysokorozdzielczy skaningowy mikroskop elektronowy FEI Versa 3D wyposażony jest w działo elektronowe z emisją polową (FEG - Field Emission Gun) oraz działo jonowe Ga+ (FIB - Focused Ion Beam). Umożliwia pracę z napięciem przyspieszającym w zakresie od 500 V do 30 kV (max. prąd wiązki elektronowej 200 nA). Zdolność rozdzielcza mikroskopu definiowana jako rozdzielczość obrazów elektronów wtórnych przy napięciu przyspieszającym 30 kV na standardowej próbce cząstek złota wynoszącej 1 nm w trybie wysokiej próżni – HV (1.5 nm w trybie niskiej próżni - LV).
Mikroskop wyposażony jest w:
- detektory do obrazowania w trybie wysokiej (ETD, CBS) i niskiej próżni (LVSED) oraz trybie środowiskowym (GSED).
- spektrometr dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego (EDS - Energy Dispersive X-ray Spectrometer) Ultim MAX 40 oraz kamerę CMOS Symmetry S2 firmy Oxford Instruments umożliwiającą pomiary dyfrakcji elektronów wstecznie rozproszonych (EBSD - Electron Backscatter Diffraction),
- detektor umożliwiający obrazowanie w trybie skaningowo-transmisyjnym (STEM),
- działo jonowe Ga+ (FIB) i system precyzyjnego dozowania gazów roboczych (GIS - Gas Injection System). Możliwość depozycji platyny (Pt) lub wolframu (W),
- dwa stoliki grzewcze (do 1000°C i 1500°C),
- stolik Peltiera,
- nanoindenter FT-NMT04 firmy Femtotools,
- oprogramowanie Auto Slice&View,
- układ dwóch nanomanipulatorów (mibotów) firmy Imina.
Maksymalne wymiary próbek – średnica: 150 mm, wysokość: 55 mm; waga: 500 g.
Aparatura udostępniania na zasadach wynikających z Regulaminu Korzystania z Infrastruktury Badawczej ACMiN. (https://acmin.agh.edu.pl/home/acmin/5_Wspolpraca/Aparatura/Zasady_i_koszty_korzystania_z_infrastruktury_badawczej_ACMiN.pdf)
- Obserwacje mikrostruktury materiałów przewodzących i dielektrycznych.
- Badania „in-situ”:
- stolik Peltiera i stoliki grzewcze,
- nanomanipulatory do pomiarów właściwości elektrycznych,
- nanoindenter.
- Tomografia elektronowa (SEM/FIB) - rekonstrukcja 3D mikrostruktury.
- Analizy składu pierwiastkowego (EDS).
- Analizy orientacji krystalograficznych (EBSD).
- Analiza wielkości i kształtu cząstek i porów, pomiar grubości powłok o rozmiarach mikro- i nanometrycznych.
- Obrazowanie w trybie skaningowo-transmisyjnym (STEM):
- jasnym polu (BF),
- ciemnym polu (DF),
- szerokokątowym ciemnym polu (HAADF).
- Trzy tryby pracy:
- Wysoka próżnia (HV),
- Niska próżnia (LV),
- Środowiskowy (ESEM).
Jednostka odpowiedzialna