Dwuwiązkowy wysokorozdzielczy skaningowy mikroskop elektronowy z działem jonów galu (FIB/SEM)

Nazwa handlowa
FEI Versa 3D
Opis techniczny

Dwuwiązkowy wysokorozdzielczy skaningowy mikroskop elektronowy FEI Versa 3D wyposażony jest w działo elektronowe z emisją polową (FEG - Field Emission Gun) oraz działo jonowe Ga+ (FIB - Focused Ion Beam). Umożliwia pracę z napięciem przyspieszającym w zakresie od 500 V do 30 kV (max. prąd wiązki elektronowej 200 nA). Zdolność rozdzielcza mikroskopu definiowana jako rozdzielczość obrazów elektronów wtórnych przy napięciu przyspieszającym 30 kV na standardowej próbce cząstek złota wynoszącej 1 nm w trybie wysokiej próżni – HV (1.5 nm w trybie niskiej próżni - LV).

Mikroskop wyposażony jest w:

  • detektory do obrazowania w trybie wysokiej (ETD, CBS) i niskiej próżni (LVSED) oraz trybie środowiskowym (GSED).
  • spektrometr dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego (EDS - Energy Dispersive X-ray Spectrometer) Ultim MAX 40 oraz kamerę CMOS Symmetry S2 firmy Oxford Instruments umożliwiającą pomiary dyfrakcji elektronów wstecznie rozproszonych (EBSD - Electron Backscatter Diffraction),
  • detektor umożliwiający obrazowanie w trybie skaningowo-transmisyjnym (STEM),
  • działo jonowe Ga+ (FIB) i system precyzyjnego dozowania gazów roboczych (GIS - Gas Injection System). Możliwość depozycji platyny (Pt) lub wolframu (W),
  • dwa stoliki grzewcze (do 1000°C i 1500°C),
  • stolik Peltiera,
  • nanoindenter FT-NMT04 firmy Femtotools,
  • oprogramowanie Auto Slice&View,
  • układ dwóch nanomanipulatorów (mibotów) firmy Imina.

Maksymalne wymiary próbek – średnica: 150 mm, wysokość: 55 mm; waga: 500 g.

Warunki udostępniania infrastruktury

Aparatura udostępniania na zasadach wynikających z Regulaminu Korzystania z Infrastruktury Badawczej ACMiN. (https://acmin.agh.edu.pl/home/acmin/5_Wspolpraca/Aparatura/Zasady_i_koszty_korzystania_z_infrastruktury_badawczej_ACMiN.pdf)

Rodzaj akredytacji / certyfikatu:
Nie dotyczy
Rodzaj dostępu
Zewnętrzna
Możliwości badawcze
  1. Obserwacje mikrostruktury materiałów przewodzących i dielektrycznych.
  2. Badania „in-situ”:
    • stolik Peltiera i stoliki grzewcze, 
    • nanomanipulatory do pomiarów właściwości elektrycznych,
    • nanoindenter.
  3. Tomografia elektronowa (SEM/FIB) - rekonstrukcja 3D mikrostruktury.
  4. Analizy składu pierwiastkowego (EDS).
  5. Analizy orientacji krystalograficznych (EBSD).
Data ostatniej aktualizacji
16 września 2024 07:16
Rok wprowadzenia do użytkowania
2013
Możliwości pomiarowe
  1. Analiza wielkości i kształtu cząstek i porów, pomiar grubości powłok o rozmiarach mikro- i nanometrycznych.
  2. Obrazowanie w trybie skaningowo-transmisyjnym (STEM):
    • jasnym polu (BF),
    • ciemnym polu (DF),
    • szerokokątowym ciemnym polu (HAADF).
  3. Trzy tryby pracy:
    • Wysoka próżnia (HV),
    • Niska próżnia (LV),
    • Środowiskowy (ESEM).
Zdjęcia
Skaningowy mikroskop elektronowy FEI Versa 3D
Skaningowy mikroskop elektronowy FEI Versa 3D